울산과학기술원(UNIST) 전기전자컴퓨터공학부 김경록 교 수 연구팀이 세계 최초로 3진법 기반의 ‘금속 산화막 반도체 (Ternary Metal Oxide Semiconductor)’를 대면적 실리콘 웨이 퍼에서 구현하는데 성공하였다. 이 연구 결과는 지난 7월 15일 세계적 학술지 ‘네이처 일렉트로닉스’에 발표됐다. 기존 반도체는 0과 1 두 가지 값으로 정보를 처리하고 저장하는 비트(bit)단위를 사용한다. 김교수 연구팀이 개발한 3진법 반도체는 0,1,2 값으로 정보를 처리하는 트리트(trit) 단위를 사용하기 때문에 계산 속도를 높이고 반도체 크기와 전력소모를 줄이 는 효과가 있다. 예를 들어 128이라는 숫자를 표현하려면 기존 2진법 기반 반도체에서 8bit가 필요했지만 3진법 반도체에서는 5trit만 있으면 정보를 처리하고 저장할 수 있다. 3진법 반도체는 특히 대량의 데이터를 빠르게 처리해야하는 인공지능과 자율주행, 사물인터넷 등 신산업 분야에서 기술 발전에 기여할 잠재력이 있는 기술로 꼽힌다.<김경오 기자>